CTLDM303N-M832DS TR
Número de Producto del Fabricante:

CTLDM303N-M832DS TR

Product Overview

Fabricante:

Central Semiconductor Corp

Número de pieza:

CTLDM303N-M832DS TR-DG

Descripción:

MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 3.6A 1.65W Surface Mount TLM832DS

Inventario:

Solicitud de Cotización en Línea
12789306
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ENVIAR

CTLDM303N-M832DS TR Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Central Semiconductor
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.6A
rds activados (máx.) @ id, vgs
40mOhm @ 1.8A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
13nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
590pF @ 10V
Potencia - Máx.
1.65W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-TDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivos del proveedor
TLM832DS
Número de producto base
CTLDM303N

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
CTLDM303N-M832DS

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
CTLDM303N-M832DS CT-DG
-CTLDM303N-M832DSCT
CTLDM303N-M832DS TR-DG
-CTLDM303N-M832DS TR PBFREE
CTLDM303N-M832DS TR LEAD FREE
-CTLDM303N-M832DSDKR
CTLDM303N-M832DSDKR
-CTLDM303N-M832DS DKR-DG
CTLDM303N-M832DS DKR-DG
CTLDM303N-M832DSCT
CTLDM303N-M832DS DKR
CTLDM303N-M832DS CT
-CTLDM303N-M832DS TR-DKR
-CTLDM303N-M832DS TR-DKR-DG
-CTLDM303N-M832DS TR-DG
-CTLDM303N-M832DS CT-DG
-CTLDM303N-M832DS TR
-CTLDM303N-M832DS TR-CT-DG
CTLDM303N-M832DS TR PBFREE
CTLDM303N-M832DSTR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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